Индексировано в
  • Open J Gate
  • Журнал GenamicsSeek
  • Справочник периодических изданий Ульриха
  • RefSeek
  • Справочник индексации исследовательских журналов (DRJI)
  • Университет Хамдарда
  • ЭБСКО АЗ
  • OCLC- WorldCat
  • Вызов запроса
  • Ученый
  • Паблоны
  • Женевский фонд медицинского образования и исследований
  • Евро Паб
  • Google Scholar
Поделиться этой страницей
Флаер журнала
Flyer image

Абстрактный

Структуры и свойства оксидной барьерной пленки анодированного алюминия с помощью электрохимической импедансной спектроскопии в нанометровом масштабе

К. Хабиб и К. Аль-Муханна

В этом исследовании было изучено влияние отжига на электрохимическое поведение и толщину оксидной барьерной пленки анодированного сплава алюминия-магния (Al-Mg). Электрохимические параметры, такие как поляризационное сопротивление (RP), сопротивление раствора (RSol), импеданс переменного тока (Z) и емкость двойного слоя (CdL) анодированного сплава Al-Mg, были определены в растворах серной кислоты в диапазоне от -1 % H2SO4 методами электрохимической импедансной спектроскопии (EIS). Затем толщина оксидной пленки анодированного сплава Al-Mg была определена из полученных электрохимических параметров в зависимости от концентрации серной кислоты (-1 % H2SO4) в состоянии полученного образца и отожженного образца. Оптимальная толщина оксидной пленки была определена для полученных образцов (4,2 нм) и для отожженных образцов (0,63 нм) в серной кислоте с концентрацией 4% и 2% H2SO4 соответственно. Причина, по которой толщина оксидной пленки полученных образцов больше, чем у отожженных образцов, заключается в том, что первые образцы термодинамически нестабильны (более химически активны) по сравнению с отожженными образцами. Была разработана математическая модель для интерпретации механизма образования оксидной пленки на алюминиевой подложке. Математическая модель образования оксидной пленки на алюминиевой подложке была предложена для следующей задачи настоящей работы.

Отказ от ответственности: Этот реферат был переведен с помощью инструментов искусственного интеллекта и еще не прошел проверку или верификацию