Индексировано в
  • Open J Gate
  • Журнал GenamicsSeek
  • Академические ключи
  • ИсследованияБиблия
  • RefSeek
  • Справочник индексации исследовательских журналов (DRJI)
  • Университет Хамдарда
  • ЭБСКО АЗ
  • OCLC- WorldCat
  • Ученый
  • Паблоны
  • Евро Паб
  • Google Scholar
Поделиться этой страницей
Флаер журнала
Flyer image

Абстрактный

Влияние имплантации ионов азота на физические свойства тонких пленок оксида меди на стеклянной подложке

Азаде Джафари

Одним из методов проектирования структурных свойств
оксида металла для изменения его оптических и электрических свойств
является легирование азотом. В этом контексте легирование азотом
оксида меди является важнейшей темой исследований из-за его потенциала
для преодоления недостатка оксида меди — его высокого
сопротивления. В этой статье изучалось влияние имплантации ионов азота
на тонкую пленку оксида меди, нанесенную на стеклянную подложку методом магнетронного распыления постоянного тока . Для исследования влияния имплантации ионов азота на тонкую пленку оксида меди была получена кристаллографическая структура образцов с использованием метода рентгеновской дифракции. Для исследования морфологии поверхности использовались атомно-силовая микроскопия и сканирующая электронная микроскопия , а для оптических свойств использовался спектрофотометр UV-VIS. Рентгеновские дифракционные картины показали образование Cu2O:N с орторомбической структурой в имплантированном образце. Снимки SEM показали некоторую важнейшую изменчивость в морфологии поверхности после имплантации ионов азота таким образом, что на поверхности образовались некоторые взаимосвязанные отверстия. Согласно изображениям АСМ, шероховатость образцов после имплантации уменьшается и трансмутируется из-за баллистического эффекта имплантированных ионов. Исследование оптических свойств показало, что имплантация ионов азота способствовала делокализации носителей заряда , в результате чего оптическая ширина запрещенной зоны уменьшалась. Другим результатом имплантации ионов азота была минимизация удельного сопротивления образцов , для которых были получены характеристики IV с помощью системы Keithley -2361. Результаты представляют собой вспомогательный экспериментальный пример синтеза оксида меди, легированного N, и будут способствовать исследованию и применению устройств Cu2O:N, таких как системы фотоэлектрических материалов.





















 

Отказ от ответственности: Этот реферат был переведен с помощью инструментов искусственного интеллекта и еще не прошел проверку или верификацию